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      英特爾美光公布新存儲芯片 處理速度是現有千倍
      發布:admin 瀏覽:1981次

        據《華爾街日報》網絡版報道,英特爾和美光科技在周二宣布,他們已開發出了一種新型存儲芯片,能夠大幅提升計算機、智能機以及其它類型高科技產品的性能。

        英特爾和美光稱,他們計劃在明年開始銷售這種芯片。該芯片的處理速度最高可達到當前多數移動設備所用NAND閃存芯片的1000倍,可存儲的數據容量是主流DRAM內存芯片的10倍。

        這項技術名為3D Xpoint,雖然處理速度上還無法十分接近DRAM芯片,但是像NAND閃存芯片一樣,即便在斷電后它仍可以保存數據。英特爾和美光并未披露太多關于3D Xpoint的技術細節,包括他們使用的關鍵材料,但表示使用了一種獨特方式來存儲數據。

        英特爾和美光高管預計,新芯片的速度將催生新型應用,令業界受益匪淺,特別是那些功能模式建立在大量數據基礎之上的應用,比如語音識別、金融詐騙偵測以及基因組學。

        “這確實是一項革命性技術,”美光CEO馬克·德肯(Mark Durcan)周二在技術發布活動上表示。英特爾高級副總裁鮑勃·克魯克(Rob Crooke)稱:“這是一項很多人認為不可能實現的技術?!?/p>

        但是這項新技術的重要性和獨創性可能保守爭議。近幾年來,很多其他公司都已經宣布在存儲芯片開發上取得了重要進展。創業公司Crossbar戰略營銷和商業開發副總裁薩爾文·杜波斯(Sylvain Dubois)表示,英特爾和美光似乎仿效了其電阻式RAM技術的元素?!斑@聽起來非常像我們已擁有的技術,”杜波斯稱。

        Everspin Technologies等其他公司也相信,他們在為穩定數據存儲芯片提供DRAM級速度上已搶占先機。

        英特爾和美光計劃初期生產能夠存儲128Gb數據的雙層芯片(two-layer chip),這一存儲容量和現有的部分NAND芯片相當。隨著在芯片中堆疊更多電路,英特爾和美光計劃在日后提升芯片的存儲容量。

        參加該技術發布活動的分析師周二表示,硬件設計商需要時間來決定如何或是否使用這項技術。英特爾和美光稱,現有技術為產品提供的速度提升遠小于新型芯片

        北京時間7月29日早間消息,英特爾和美光已開始生產速度更快的新型存儲芯片。兩家公司表示,這將改變計算機獲取海量數據的方式。

        英特爾和美光周二在公告中表示,3D XPoint是25年來引入市場的首個全新主流存儲芯片技術。兩家公司將于今年晚些時候向潛在客戶提供這款芯片的樣片,并表示新產品比當前產品速度快1000倍。

        新的存儲芯片希望幫助計算機以更快的速度獲取并處理由越來越多聯網設備產生的大量數據。這也將有助于各種數據密集型任務,例如疾病的實時追蹤,以及具備沉浸感的仿真游戲等。當前類型的存儲芯片要么價格過于昂貴,要么沒有足夠的能力去處理這些任務。

        美光總裁馬克·亞當斯(Mark Adams)表示:“當代計算技術最重要的一大障礙在于處理器從大容量存儲中獲取數據花費的時間。這種新的非易失性存儲器是一種革命性技術,能實現快速訪問海量數據,帶來全新的應用?!?/p>

        Gartner分析師馬廷·雷諾茲(Martin Reynolds)表示,這一新技術最初很可能被大型數據中心的運營者,例如谷歌和Facebook使用,以提高服務器性能。

        他表示:“對它們而言,這帶來了巨大的機會,因為它們可以大幅提升服務器的存儲量。這是一個全新的市場,你將會看到隨之而來的一些新增長?!?/p>

        英特爾和美光并未透露用于3D XPoint技術的材料細節。這一新的存儲芯片采用了非晶體管架構。美光位于猶他州Lehi的工廠將從明年開始生產這款芯片。

        美光和英特爾已經成立了一家合資公司,生產用于移動設備和計算機數據存儲的閃存芯片。美光也在為手機和PC生產內存芯片,并與韓國的三星和SK海力士存在競爭關系。

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